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IGBT内部结构  

2007-04-02 21:18:15|  分类: 电子电路 |  标签: |举报 |字号 订阅

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IGBT内部结构,很难得的资料。

n-区构成空间电荷区,然后植入p导通井,它在边缘地带参杂浓度较低(p-),中心地带参杂浓度较高(p+)。这些井里存在着层状得n+型硅,它们与发射极的金属铝表面相连。n+区之上,先是植入一层薄的SiO2绝缘层,后形成控制区。
当栅极和发射极之间加上一个足够高的驱动电压时,栅极下面就会形成一个n沟道反型层,电子可以经由这个通道从发射极流向n-漂移区。
这些电子进入P+时,会使P+的空穴注入n-区。这些被注入的空穴即从漂移区流向发射极的p区,也经由MOS沟道及n井区横向流入发射极。因此在n-区出现了构成主电流(集电极电流)的载流子过盈现象,这一载流子的增强效应导致了空间电荷区的缩小和集电极-发射极电压的降低。

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